旭化成、パワー半導体AlNで成果 SiCやGaNより低損失 - 日経テックフォーサイト
2024/01/17 引用元：NIKKEI Tech Foresight（日経テックフォーサイト）：日経グループの次世代技術や知財戦略を伝える専門メディア 続きを読む
2024/01/17、『NIKKEI Tech Foresight（日経テックフォーサイト）：日経グループの次世代技術や知財戦略を伝える専門メディア』が報じたこのニュースに5件のコメントが寄せられています（2026/06/09 06:16現在）。
記事公開から2年以上経過していますが最新のコメントは2024年1月23日に寄せられています。 また、「旭化成」の企業・マーケット情報などについて言及しているコメントがあります。だいぶ時間が経ったこのニュースに2年前にコメントが付けられている状況で最近は関心を向けられていないようです。
あなたはこのニュースについてどう思いますか？ 関連する最近のニュースを知りたい場合は 「GaN」 「日経テックフォーサイト」 「旭化成」 で検索可能です。
記事公開から2年以上経過していますが最新のコメントは2024年1月23日に寄せられています。 また、「旭化成」の企業・マーケット情報などについて言及しているコメントがあります。だいぶ時間が経ったこのニュースに2年前にコメントが付けられている状況で最近は関心を向けられていないようです。
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みんなの反応・コメント 5件
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#窒化アルミニウムAlN #AlNパワー半導体 日経テックフォーサイト 01/17 nikkei.com/prime/tech… >新しい半導体「窒化アルミニウム」の実用化に向けた取り組みを加速させている >炭化ケイ素や窒化ガリウムを上回る特性
日経テックフォーサイト nikkei.com/prime/tech… 研究内容的に近いんよな
旭化成パワー半導体AlNで成果 SiCやGaNより低損失【NIKKEI Tech Foresight】 nikkei.com/prime/tech…
【NIKKEI Tech Foresight】 nikkei.com/prime/tech…
日経テックフォーサイト nikkei.com/prime/tech…