ダイヤモンド半導体、26年度に試供品 佐賀大教授が起業 - 日本経済新聞
2025/02/10 引用元：日本経済新聞 続きを読む
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コメントしました。 従来のシリコンの性能指標を１とすると、ダイヤモンドのバンドギャップは4.9、絶縁破壊電界強度は33となります。これはSiCやGaNといった素材を超える性能です。日本経済新聞 nikkei.com/article/DGXZQO…