ショットキーダイオード内蔵GaNパワートランジスタ、Infineonが開発
2025/04/14 引用元：EE Times Japan 続きを読む
2025/04/14、『EE Times Japan』が報じたこのニュースに1件のコメントが寄せられています（2026/04/18 21:59現在）。
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産業向けに eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/25… >従来、ハードスイッチングアプリケーションでは、GaNベースのトポロジーはGaNデバイスの実効ボディダイオード電圧が大きいため、電力損失がより大きくなるという課題があった。