90％超の小型化！650V耐圧第3世代SiC MOSFET搭載の新製品、東芝D＆S
2025/06/02 引用元：EDN Japan 続きを読む
2025/06/02、『EDN Japan』が報じたこのニュースに1件のコメントが寄せられています（2026/04/20 08:02現在）。
あなたはこのニュースについてどう思いますか？ 関連する最近のニュースを知りたい場合は 「650V耐圧第3世代SiC MOSFET搭載」 「東芝D＆S」 「小型化」 で検索可能です。
あなたはこのニュースについてどう思いますか？ 関連する最近のニュースを知りたい場合は 「650V耐圧第3世代SiC MOSFET搭載」 「東芝D＆S」 「小型化」 で検索可能です。
一緒につぶやかれている企業・マーケット情報
みんなの反応・コメント 1件
おすすめ順 | 新着順
初のDFN8×8採用品 edn.itmedia.co.jp/edn/articles/2… >従来のリード挿入型と比べて体積を90％以上削減 >面実装によってリード挿入型に比べて抵抗やインダクタンスなど寄生インピーダンス成分が小さくなるため、スイッチング損失も低減できる