オキサイド、新製法でSiC半導体基板を試作 欠陥抑制しコスト低減 - 日本経済新聞
2025/11/10 引用元：日本経済新聞 続きを読む
2025/11/10、『日本経済新聞』が報じたこのニュースに2件のコメントが寄せられています（2026/04/16 11:08現在）。
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欠陥が少なく良品が多くなると書かれているが 生成スピードは従来方式よりも速いのだろうか？エネルギー効率的にもどうなの？ ↓日本経済新聞 nikkei.com/article/DGXZQO…
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