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SiCトレンチMOSFETとスーパージャンクションショットキーバリアダイオードの損失低減を可能にする技術を開発 | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 | 日本
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2025年7月1日 15:12
indexPro （インデックスプロ）
SiCトレンチMOSFETとスーパージャンクションショットキーバリアダイオードの損失低減を可能にする技術を開発 【 東芝デバイス＆ストレージ 】 indexpro.co.jp/NewsLink/11103