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低耐圧のGaNをベースとする降圧コンバータ、そのゲートの駆動方法と評価方法を確立する
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4月6日 13:55
アナログ・デバイセズ
【TECH+記事】 GaN FETには、シリコン・ベースのFETと比べてスイッチング速度が速いという特徴があります。それに加え、電力損失が少なく、パッケージを小型化で... news.mynavi.jp/techplus/artic…