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旭化成と名古屋大、次世代半導体トランジスタ開発 6G通信など向け - 日本経済新聞
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1月11日 9:06
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【旭化成と名古屋大、次世代半導体トランジスタ開発】 「高電子移動度トランジスタ」を窒化アルミニウムの基板上につくる。窒化ガリウムを活用するHEMTより性能を高め「6G」などに向けた活用を見込む。 出典日本経済新聞 nikkei.com/article/DGXZQO… pic.x.com/chbgG5VcFR