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NTT、DRAMセルのエネルギー損失を単電子レベルで解明
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5月1日 9:25
グローバルネット株式会社
【GNCレター】 NTTは2026年4月23日、半導体メモリ素子であるDRAMセルにおいて、電子1個単位で熱とエントロピーを同時に測定する技術を世界で初めて実証したと発表 詳細.co.jp/archives/12786