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SiC MOSFETのサイト内検索結果
東芝デバイス&ストレージ、SiC MOSFETで低損失化と短絡耐量向上を両立する技術を開発 response.jp/article/2026/0… #東芝 #有料会員記事 pic.x.com/z1BWkb3UfQ
トレンチゲート型SiC MOSFETで低損失と短絡耐量を両立、東芝D&S:従来に比べオン抵抗を約25%低減 - EE Times Japan eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/26…
トレンチゲート型SiC MOSFETで低損失と短絡耐量を両立、東芝D&S:従来に比べオン抵抗を約25%低減 - EE Times Japan eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/26…
トレンチゲート型SiC MOSFETで低損失と短絡耐量を両立、東芝D&S eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/26…
トレンチゲート型SiC MOSFETの低損失化と短絡耐量向上を両立する技術を開発 【 東芝デバイス&ストレージ 】 indexpro.co.jp/NewsLink/11625
5/28 技術情報 東芝デバイス&ストレージ ・トレンチゲート型SiC MOSFETの低損失化と短絡耐量向上を両立する技術を開発 | 東芝デバイス&ストレージ electropotalplus.com/entry/2026/05/… #東芝D&S
ローム、第5世代SiC MOSFET開発完了…業界トップクラスの低損失で車載・産業機器向けに展開へ response.jp/article/2026/0… #ローム #有料会員記事
ローム 用途はEVの駆動部品 AIサーバーやデータセンターの電源 EVなどの性能向上に合わせ、電力損失の低減が求められている。ロームは7月から新型SiC MOSFETを搭載したサンプル品を顧客に提供し、量産計画を進める。 ■ 本命:3社連合 ローム 東芝 三菱電機 pic.x.com/x8Plyf1Igt
ローム、車載向けSiCパワー半導体 電気抵抗3割減で小型化・高出力化 nikkei.com/article/DGXZQO… 開発したのは「SiC MOSFET」と呼ばれるトランジスタの一種で、電気の流れを制御します。 電気が流れる際に生じるオン抵抗を従来製品から約3割減らし、発熱やエネルギーの損失を抑えます。
ローム、車載向けSiCパワー半導体 電気抵抗3割減で小型化・高出力化 - 日本経済新聞 nikkei.com/article/DGXZQO… >開発したのは「SiC MOSFET」と呼ばれるトランジスタの一種で、電気の流れを制御する。電気が流れる際に生じるオン抵抗を従来製品から約3割減らし、発熱やエネルギーの損失を抑える。