ローム、車載向けSiCパワー半導体 電気抵抗3割減で小型化・高出力化 - 日本経済新聞
2026/04/21 引用元：日本経済新聞 続きを読む
2026/04/21、『日本経済新聞』が報じたこのニュースに4件のコメントが寄せられています（2026/04/26 11:22現在）。
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みんなの反応・コメント 4件
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日本経済新聞 nikkei.com/article/DGXZQO… >開発したのは「SiC MOSFET」と呼ばれるトランジスタの一種で、電気の流れを制御する。電気が流れる際に生じるオン抵抗を従来製品から約3割減らし、発熱やエネルギーの損失を抑える。
nikkei.com/article/DGXZQO… 開発したのは「SiC MOSFET」と呼ばれるトランジスタの一種で、電気の流れを制御します。 電気が流れる際に生じるオン抵抗を従来製品から約3割減らし、発熱やエネルギーの損失を抑えます。
日本経済新聞 用途はEVの駆動部品のほか、AIサーバーやデータセンターの電源などを見込む。 EVなどの性能向上に合わせ、電力損失の低減が求められている。 nikkei.com/article/DGXZQO…
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