ローム、車載向けSiCパワー半導体 電気抵抗3割減で小型化・高出力化 - 日本経済新聞

2026/04/21 引用元:日本経済新聞 続きを読む
2026/04/21、『日本経済新聞』が報じたこのニュースに4件のコメントが寄せられています(2026/06/20 14:55現在)。
記事公開から2カ月以上経過していますが最新のコメントは2026年4月25日に寄せられています。 また、「ローム」の企業・マーケット情報などについて言及しているコメントがあります。一定の時間が経ったこのニュースに1カ月前にコメントが付けられている状況です。
あなたはこのニュースについてどう思いますか? 関連する最近のニュースを知りたい場合は 「ローム」 「車載向けSiCパワー半導体」 「電気抵抗3割減」 で検索可能です。
記事公開から2カ月以上経過していますが最新のコメントは2026年4月25日に寄せられています。 また、「ローム」の企業・マーケット情報などについて言及しているコメントがあります。一定の時間が経ったこのニュースに1カ月前にコメントが付けられている状況です。
あなたはこのニュースについてどう思いますか? 関連する最近のニュースを知りたい場合は 「ローム」 「車載向けSiCパワー半導体」 「電気抵抗3割減」 で検索可能です。
一緒につぶやかれている企業・マーケット情報
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みんなの反応・コメント 4件
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日本経済新聞 nikkei.com/article/DGXZQO…
nikkei.com/article/DGXZQO… 開発したのは「SiC MOSFET」と呼ばれるトランジスタの一種で、電気の流れを制御します。 電気が流れる際に生じるオン抵抗を従来製品から約3割減らし、発熱やエネルギーの損失を抑えます。
日本経済新聞 用途はEVの駆動部品のほか、AIサーバーやデータセンターの電源などを見込む。 EVなどの性能向上に合わせ、電力損失の低減が求められている。 nikkei.com/article/DGXZQO…
日本経済新聞 nikkei.com/article/DGXZQO… >開発したのは「SiC MOSFET」と呼ばれるトランジスタの一種で、電気の流れを制御する。電気が流れる際に生じるオン抵抗を従来製品から約3割減らし、発熱やエネルギーの損失を抑える。