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東芝D&Sの最新ニュース一覧
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トレンチゲート型SiC MOSFETで低損失と短絡耐量を両立、東芝D＆S
最新コメント｜ 26月1日 12:44 オラA
従来に比べオン抵抗を約25％低減.itmedia.co.jp/ee/articles/26… -
90％超の小型化！650V耐圧第3世代SiC MOSFET搭載の新製品、東芝D＆S
最新コメント｜ 12025年6月2日 11:32 Nabe_RMC
初のDFN8×8採用品 edn.itmedia.co.jp/edn/articles/2… >従来のリード挿入型と比べて体積を90％以上削減 >面実装によってリード挿入型に比べて抵抗やインダクタンスなど寄生インピーダンス成分が小さくなるため、スイッチング損失も低減できる